диффузия легирующей примеси
- диффузия легирующей примеси
- legiravimo priemaišų difuzija
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. doping impurity diffusion
vok. Störstellendiffusion, f
rus. диффузия легирующей примеси, f
pranc. diffusion d'impureté dopante, f
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
Look at other dictionaries:
Störstellendiffusion — legiravimo priemaišų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f … Radioelektronikos terminų žodynas
diffusion d'impureté dopante — legiravimo priemaišų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f … Radioelektronikos terminų žodynas
doping impurity diffusion — legiravimo priemaišų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f … Radioelektronikos terminų žodynas
legiravimo priemaišų difuzija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f … Radioelektronikos terminų žodynas
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
электронно-дырочный переход — то же, что р n переход. * * * ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (p n переход, n p переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от… … Энциклопедический словарь
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — (ИС), микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или чипе ) полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества… … Энциклопедия Кольера
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны … Физическая энциклопедия
Газофазная эпитаксия — Газофазная эпитаксия получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных… … Википедия